오존 가스를 이용하여 연성 회로기판에 구비된 신경 탐침에 비정질 이리듐 산화물을 증착시키는 화학기상 증착방법
출원인
연세대학교 산학협력단
공고일
2026.09.02
출원일
2024.03.20
공개일
2025.09.29
게시글 내용
본 발명은 오존 가스를 이용하여 연성 회로기판에 구비된 신경 탐침에 비정질 이리듐 산화물을 증착시키는 화학기상 증착방법으로서, 신경 탐침(neural probe)을 갖는 기판이 내부에 배치된 반응 챔버(furnace)에 이리듐 전구체가 주입되고, 반응 챔버 내부를 기 설정된 시간동안 비활성 기체로 퍼지시키는 S100 단계; 및 상기 반응 챔버 내부에 오존 가스 및 비활성 기체를 주입하고, 오존(O3) 가스와 이리듐 전구체를 기 설정된 반응 온도에서 반응시켜, 상기 신경 탐침의 표면에 이리듐 산화물(IrO2)을 증착시키는 S200 단계를 포함한다.
