본 발명은 광검출 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 광검출 다이오드는 암누설전류의 발생이 상대적으로 큰 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 상호 소정면적이 접합된 p형 반도체층 및 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층의 상부에 소정의 형상으로 위치하는 제 1전극과, 상기 제 1전극의 일부 및 n형 반도체층의 동작영역 상에 위치하는 광투과 절연층과, 상기 p형 반도체층의 저면에 접하는 제 2전극을 포함하는 광검출 다이오드에 있어서, 상기 n형 반도체층의 측면에 위치하는 절연층을 더 포함하는 광검출 다이오드를, 그 n형 반도체층의 비동작영역에 실리콘 이온을 주입하는 제조방법을 통해 제조함으로써, 그 절연층에 의해 암누설전류의 발생을 최소화하는 효과가 있다.