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본 발명은 질화갈륨(GaN)계 나노선을 이용한 질화갈륨/산화갈륨(Ga2O3) 나노케이블, 이의 제조방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 질화갈륨 나노선을 열산화하여 제조된 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블은 하나의 1차원 나노구조가 반도체/절연체로 구성되어 있기 때문에 전계효과 트랜지스터, 바이오/가스 센서 등에 유리하게 이용될 수 있다.나노케이블, 나노선, 질화갈륨, 산화갈륨, 전계효과
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