압축 응력을 이용한 Bi 나노와이어 제조방법이 제공된다.본 발명은, 그 상부에 산화층을 갖는 기판을 마련하는 공정; 상기 산화층 상부에 스퍼터링법으로 Bi 박막을 형성하는 공정; 상기 Bi 정박막이 형성된 기판을 반응로 내부에 적치한 후, 이를 열처리하는 공정; 및 상기 열처리된 기판을 상온으로 냉각함으로써 Bi 나노와이어를 성장시키는 공정;을 포함하는 압축응력을 이용한 단결정 Bi 나노와이어 제조방법에 관한 것이다. Bi 나노와이어, 스퍼터링, 압축응력
