본 발명은 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 빛의 수광 면적을 극대화시켜 광감응 효율을 크게 개선시킬 수 있고, 빛이 최초 입사되는 표면인 반도체 에피층에 메탈전극을 형성하여 역바이어스용 접지전극으로 사용할 수 있도록 한 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 제1도전형(P형) 반도체기판와; 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성되며, 제2도전형(N형)의 불순물층으로 이루어진 신호전달영역과; 상기 신호전달영역과 이격 형성되며, 제2도전형(N형) 불순물층으로 이루어진 신호검출영역과; 상기 신호검출영역에 전기적으로 연결되는 복수의 메탈라인과; 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성되며, 상기 신호전달영역과 신호검출영역간에 전하를 전송하기 위하여 연결된 전달게이트와; 상기 신호전달영역 및 전달게이트, 신호검출영역를 포함하는 상기 제1도전형(P형) 반도체기판 위에 형성된 층간절연층과; 상기 신호전달영역에 연결되어 층간절연층에 내재되는 수직 메탈전극과, 이 수직 메탈전극으로부터 연장되면서 상기 층간절연층의 표면으로 노출되는 수평 형태의 최상위 메탈전극으로 이루어진 메탈전극과; 상기 최상위 메탈전극을 포함하는 층간절연층의 표면에 형성되며 P형과 N형 불순물을 주입하여 PN접합이 구현되는 포토다이오드 영역이 되는 다결정 실리콘 에피층 또는 다결정 화합물 반도체 에피층; 을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.화합물 반도체, 이미지센서, 포토다이오드, 메탈전극, 다결정 화합물 반도체 에피층, 접지전극